[发明专利]双极结型晶体管无效

专利信息
申请号: 200810147770.3 申请日: 2008-12-04
公开(公告)号: CN101425536A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 张有润;张波;刘锡麟 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01L29/73 分类号: H01L29/73;H01L29/10
代理公司: 成都惠迪专利事务所 代理人: 刘 勋
地址: 610054四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 双极结型晶体管,涉及半导体功率器件技术领域。本发明包括衬底、集电区、发射区、基区、发射极电极、基极电极和集电极电极,其特征在于,在基区内部设置有浮空埋层,所述浮空埋层材料与基区材料相异。本发明的有益效果是,同时具有良好的直流特性和击穿特性,即具有高电流增益的同时还具有较高的击穿电压,能广泛应用于大功率变换器(如DC-DC变换器及逆变器)领域。
搜索关键词: 双极结型 晶体管
【主权项】:
1、双极结型晶体管,包括衬底(33)、集电区(23)、发射区(21)、基区(22)、发射极电极(11)、基极电极(12A、12B)和集电极电极(13),其特征在于,在基区(22)内部设置有浮空埋层(24),所述浮空埋层(24)材料与基区(22)材料相异。
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