[发明专利]双极结型晶体管无效
申请号: | 200810147770.3 | 申请日: | 2008-12-04 |
公开(公告)号: | CN101425536A | 公开(公告)日: | 2009-05-06 |
发明(设计)人: | 张有润;张波;刘锡麟 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L29/73 | 分类号: | H01L29/73;H01L29/10 |
代理公司: | 成都惠迪专利事务所 | 代理人: | 刘 勋 |
地址: | 610054四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 双极结型晶体管,涉及半导体功率器件技术领域。本发明包括衬底、集电区、发射区、基区、发射极电极、基极电极和集电极电极,其特征在于,在基区内部设置有浮空埋层,所述浮空埋层材料与基区材料相异。本发明的有益效果是,同时具有良好的直流特性和击穿特性,即具有高电流增益的同时还具有较高的击穿电压,能广泛应用于大功率变换器(如DC-DC变换器及逆变器)领域。 | ||
搜索关键词: | 双极结型 晶体管 | ||
【主权项】:
1、双极结型晶体管,包括衬底(33)、集电区(23)、发射区(21)、基区(22)、发射极电极(11)、基极电极(12A、12B)和集电极电极(13),其特征在于,在基区(22)内部设置有浮空埋层(24),所述浮空埋层(24)材料与基区(22)材料相异。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学,未经电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810147770.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:分布反馈光纤激光器调频、降噪的装置
- 下一篇:防波纹片渗漏的油浸式变压器
- 同类专利
- 专利分类