[发明专利]一种AlXIn1-XN薄膜的制备方法

摘要

一种Al_xIn_1-xN薄膜的制备方法，工艺步骤如下：(1)在常温常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)将处理后的衬底放入溅射室，在真空条件下采用溅射法在衬底上生长缓冲层AlN，靶材为Al，N₂与Ar的流量比为9∶1，直流溅射功率50～60W，溅射时间20～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在400～600℃；(3)缓冲层AlN生长结束后，将靶材更换为Al-In(1∶1)合金，在真空条件下采用溅射法完成Al_xIn_1-xN薄膜的生长，N₂与Ar的流量比为3∶1，射频溅射功率80～160W，溅射时间10～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在250～350℃。

主权项

1、一种AlxIn1-xN薄膜的制备方法，其特征在于工艺步骤依次如下：(1)衬底的处理在常温、常压下将衬底清洗干净后置于氮气环境中吹干；(2)缓冲层AlN的生长将经步骤(1)处理的衬底放入溅射室，在真空条件下采用溅射法在衬底上生长缓冲层AlN，靶材为Al，N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为9∶1，直流溅射功率50W～60W，溅射时间20分钟～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在400℃～600℃；(3)AlxIn1-xN薄膜的生长缓冲层AlN的生长结束后，将靶材更换为Al与In的质量比为1∶1的Al-In合金，在真空条件下采用溅射法完成AlxIn1-xN薄膜的生长，N2为反应气体，Ar为工作气体，N2与Ar的流量比为3∶1，射频溅射功率80W～160W，溅射时间10分钟～30分钟，溅射过程中衬底的温度控制在250℃～350℃。