[发明专利]SDRAM损坏存储单元地址管理方法无效
| 申请号： | 200810148061.7 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101567221A | 公开（公告）日： | 2009-10-28 |
| 发明（设计）人： | 杨修;邹铮贤 | 申请（专利权）人： | 和芯微电子(四川)有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/04 | 分类号： | G11C29/04;G11C11/4078 |
| 代理公司： | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 徐 丰 |
| 地址： | 610041四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了SDRAM损坏存储单元地址管理方法，首先将SDRAM片外配置有后备存储器，所述后备存储器每个地址对应的存储单元的大小大于或等于SDRAM存储单元的大小；当初始化时，增加损坏存储单元扫描操作，对SDRAM中所有地址的存储单元进行N次交错的“0”和“1”数据读写操作，通过多次比较读写数据是否完全一致，判断SDRAM的存储单元是否损坏，其中，N≥2；本发明特别适用于SDRAM出现少量存储单元损坏的情况，可以大幅提高SDRAM的使用寿命，减少了产品的使用成本。 | ||
| 搜索关键词： | sdram 损坏 存储 单元 地址 管理 方法 | ||
【主权项】：
1、SDRAM损坏存储单元地址管理方法，其特征在于：将SDRAM片外配置有后备存储器，所述后备存储器每个地址对应的存储单元的大小大于或等于SDRAM存储单元的大小；当初始化时，增加损坏存储单元扫描操作，对SDRAM中所有地址的存储单元进行N次交错的“0”和“1”数据读写操作，通过多次比较读写数据是否完全一致，判断SDRAM的存储单元是否损坏，其中，N≥2。
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