[发明专利]具有二极管和IGBT的半导体器件有效
| 申请号： | 200810149208.4 | 申请日： | 2008-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN101393914A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 都筑幸夫;河野宪司 | 申请（专利权）人： | 株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈松涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：半导体衬底(10、11)，其包括第一导电类型层(11)；多个IGBT区(1)，每个IGBT区(1)提供一个IGBT元件；以及多个二极管区(2)，每个二极管区(2)提供一个二极管元件。所述多个IGBT区和所述多个二极管区交替布置在所述衬底中。每个二极管区都包括具有第二导电类型的肖特基接触区(24)。所述肖特基接触区用于回收来自所述第一导电类型层的少数载流子。所述肖特基接触区设置在所述第一导体类型层的第一表面部分中，并且邻近所述IGBT区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 二极管 igbt 半导体器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，包括：半导体衬底(10、11)，其包括第一导电类型层(11)；多个IGBT区(1)，每个IGBT区(1)提供一个IGBT元件；以及多个二极管区(2)，每个二极管区(2)提供一个二极管元件，其中所述多个IGBT区(1)和所述多个二极管区(2)交替布置在所述衬底(10、11)中，其中每个二极管区(2)都包括具有第二导电类型的肖特基接触区(24)，其中所述肖特基接触区(24)用于回收来自所述第一导电类型层(11)的少数载流子，并且其中所述肖特基接触区(24)设置在所述第一导体类型层(11)的第一表面部分中，并且邻近所述IGBT区(1)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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