[发明专利]快闪存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810149327.X | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101409309A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 朱光哲 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种快闪存储器件及其制造方法，快闪存储器件通过采用能带隙的组合的高介电常数(k)层来降低漏电流以在目标厚度内获得期望的耦合比。该快闪存储器件包括：隧道绝缘层，形成在半导体衬底上；第一导电层，形成在该隧道绝缘层上；高介电常数(k)层，具有第一、第二和第三高k绝缘层的堆叠结构并且形成在该第一导电层上；和第二导电层，形成在该高k层上。第一高k绝缘层具有第一能带隙，第二高k绝缘层具有大于第一能带隙的第二能带隙，第三高k绝缘层具有小于第二能带隙的第三能带隙。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快闪存储器件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘层；形成在所述隧道绝缘层上的第一导电层；形成在所述第一导电层上的高介电常数(k)层，其包括第一高k绝缘层、第二高k绝缘层和第三高k绝缘层的堆叠结构，其中所述第一高k绝缘层具有第一能带隙，所述第二高k绝缘层具有大于所述第一能带隙的第二能带隙，所述第三高k绝缘层具有小于所述第二能带隙的第三能带隙；和形成在所述高k层上第二导电层。
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