[发明专利]感应耦合等离子体处理设备无效
申请号: | 200810149390.3 | 申请日: | 2008-09-25 |
公开(公告)号: | CN101399170A | 公开(公告)日: | 2009-04-01 |
发明(设计)人: | 平柳裕久;坂本清尚;长田智明;小平吉三 | 申请(专利权)人: | 佳能安内华股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01J37/32;H05H1/46 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据本发明的感应耦合等离子体处理设备防止通过溅射蚀刻作业形成的碎屑在电介质壁容器(11)的侧壁部(14)的内表面上形成膜,并且防止高频电力的供给受到妨碍。在所述感应耦合等离子体处理设备中,从被处理物(2)的最外周上的任一点开始并且经过等离子体导入口(12)的所有直线都在电介质壁容器(11)的底部(13)的内表面上与底部(13)形成交点。 | ||
搜索关键词: | 感应 耦合 等离子体 处理 设备 | ||
【主权项】:
1. 一种感应耦合等离子体处理设备,其包括:真空容器,其形成用于在减压下容纳被处理物的处理室;电介质壁容器,其形成等离子体室,所述等离子体室通过设置在与所述处理室中的所述被处理物相对的位置处的等离子体导入口与所述处理室连通,并且所述电介质壁容器设置有与所述等离子体导入口相对的底部以及覆盖所述底部与所述等离子体导入口之间的周部的侧壁部;线圈电极,其被布置在所述电介质壁容器的所述侧壁部的外侧;以及用于等离子体的高频电源,其通过向所述线圈电极施加高频电力而在所述等离子体室中形成等离子体,其中,从已安置在所述处理室中的所述被处理物的最外周上的任一点开始并且经过所述等离子体导入口的所有直线都在所述电介质壁容器的所述底部的内表面上与所述底部形成交点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造