[发明专利]绝缘体上硅器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810149426.8 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101577292A | 公开（公告）日： | 2009-11-11 |
| 发明（设计）人： | 金甫娟 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种绝缘体上硅(SOI)器件及其制造方法。该器件包括由硅基板、埋入氧化物层、及硅层的堆叠结构构成的SOI基板。在该硅层中界定凹槽，使埋入氧化物层暴露。阻挡层形成于各凹槽的侧壁下部。外延硅层形成以填充该凹槽，并且覆盖该阻挡层。数个栅极形成于该外延硅层上，结区形成于该栅极两侧的硅层中。在本发明中，SOI器件的电荷存储容量改善，导致改善感测容限。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘体上硅(SOI)器件，该器件具有包括硅基板、埋入氧化物层、及硅层的堆叠结构的绝缘体上硅基板，该绝缘体上硅器件包括：凹槽，被定于该硅层中，以暴露该埋入氧化物层；阻挡层，形成于该凹槽的侧壁；外延硅层，填充包括该阻挡层的凹槽；栅极，形成于该外延硅层上；以及结区，形成于该栅极的两侧的硅层中。
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