[发明专利]在半导体器件中形成微图案的方法

摘要

本发明提供一种用于在半导体器件中形成微图案的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻目标层；在蚀刻目标层上形成第一蚀刻终止层；在第一蚀刻终止层上形成第二蚀刻终止层；在第二蚀刻终止层上形成第一牺牲层；通过选择性地蚀刻第一牺牲层来形成第一牺牲图案；在第二蚀刻终止层和第一牺牲图案上形成第二牺牲层；蚀刻第二牺牲层和第二蚀刻终止层，直至暴露出第一牺牲图案且第二牺牲层仅保留在第一牺牲图案的侧壁上；移除暴露的第一牺牲图案；蚀刻暴露的第二蚀刻终止层掩模以限定多个第一结构；蚀刻第一蚀刻终止层；和蚀刻蚀刻目标层。

主权项

1. 一种用于形成半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成第一蚀刻终止层；在所述第一蚀刻终止层上形成第二蚀刻终止层；在所述第二蚀刻终止层上形成第一牺牲层；通过选择性地蚀刻所述第一牺牲层形成第一牺牲图案；在所述第二蚀刻终止层和所述第一牺牲图案上形成第二牺牲层，所述第二牺牲层与所述第一牺牲图案共形；蚀刻所述第二牺牲层和所述第二蚀刻终止层，直至基本上暴露所述第一牺牲图案并且所述第二牺牲层仅余留在所述第一牺牲图案的侧壁上，所述余留第二牺牲层限定第二牺牲图案；移除所述暴露的第一牺牲图案，所述第二牺牲图案限定暴露出所述第二蚀刻终止层的开口；使用所述第二牺牲图案作为蚀刻掩模来蚀刻所述暴露的第二蚀刻终止层以限定多个第一结构，在蚀刻所述暴露的第二蚀刻终止层时所述第一蚀刻终止层用作蚀刻阻挡层；使用所述第一结构作为蚀刻掩模来蚀刻所述第一蚀刻终止层以限定多个第二结构；和通过使用所述第二结构作为蚀刻掩模来蚀刻所述蚀刻目标层。