[发明专利]电激发光元件有效
申请号: | 200810149529.4 | 申请日: | 2005-09-30 |
公开(公告)号: | CN101388437A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 西川龙司;齐藤伸郎 | 申请(专利权)人: | 三洋电机株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程 伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明为一种电激发光元件,在阳极及阴极之间具备含有多层发光层的发光元件层。此发光元件层具备2层以上的含有空穴输送性化合物的有机层,多层发光层中的1层以上含有空穴输送性化合物,在含有所述空穴输送性化合物的有机层中,形成于最接近电子注入电极的层的空穴输送性化合物的含有浓度比形成于最接近空穴注入电极的层的还小。在含有所述空穴输送性化合物的有机层存在有3层以上的情况下,可设定:各层的空穴输送性化合物的含有浓度,距离空穴注入电极愈远则该层的浓度愈低。由此,可容易使多层的各层发光层的空穴及电子的供应量及供应时机达到最优化,而容易使发光层的任一层进行一致的发光。 | ||
搜索关键词: | 激发 元件 | ||
【主权项】:
1、一种电激发光元件,在空穴注入电极及电子注入电极之间,具备含有机化合物的发光元件层,其中,所述发光元件层具备多层发光层,在该多层发光层中,在配置于最接近空穴注入电极的第1发光层及该空穴注入电极之间,至少具备空穴输送层;在所述多层发光层中,在配置于最接近电子注入电极的第2发光层及该电子注入电极之间,至少具备电子输送层;设从所述空穴注入电极所注入的空穴通过所述空穴输送层及所述第1发光层而到达所述第2发光层为止的该空穴的所需时间为Th,及从所述电子注入电极所注入的电子通过所述电子输送层及所述第2发光层而到达所述第1发光层为止的该电子的所需时间为Te时,两者的比值Th/Te满足下式的关系:0. 5<(Th/Te)<2.5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社,未经三洋电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810149529.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择