[发明专利]集成电路结构有效
| 申请号： | 200810149643.7 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101552247A | 公开（公告）日： | 2009-10-07 |
| 发明（设计）人： | 刘中伟;林耕竹;郑双铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路结构，包括：半导体基底、第一低介电系数材料层、第二低介电系数材料层、第一反射金属垫以及焊垫。第一低介电系数材料层位于半导体基底之上，其中第一低介电系数材料层是一种上方低介电系数材料层。低介电系数材料层直接位于第一低介电系数材料层下方。第一反射金属垫位于第二低介电系数材料层之中，且第一反射金属垫具有浮动电性。焊垫位于第一反射金属垫上方，其中焊垫以及第一反射金属垫是垂直地相互对准。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1、一种集成电路结构，其特征在于，包括：一半导体基底；一第一低介电系数材料层，位于该半导体基底之上，其中该第一低介电系数材料层是一上方低介电系数材料层；一第二低介电系数材料层，直接位于该第一低介电系数材料层下方；一第一反射金属垫，位于该第二低介电系数材料层之中，且该第一反射金属垫具有浮动电性；以及一焊垫，位于该第一反射金属垫上方，其中该焊垫以及该第一反射金属垫垂直地相互对准。
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