[发明专利]晶片堆叠结构有效

专利信息
申请号: 200810149914.9 申请日: 2008-10-15
公开(公告)号: CN101635293A 公开(公告)日: 2010-01-27
发明(设计)人: 谭瑞敏;张恕铭;廖锡卿;骆韦仲;李荣贤;张缉熙 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L23/00
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种晶片堆叠结构,该晶片堆叠结构包含一第一晶片,该第一晶片具有一第一装置层与一第一基板,其中该第一装置层具有至少一芯片及至少一低介电材料层;一第二晶片,设置在该第一晶片之上,其具有一第二装置层;以及一封闭结构,其设置于该至少一芯片上且设置于该至少一芯片的切割道的内侧,其中该封闭结构是从该第一装置层远离该第一基板的一侧延伸至其靠近该第一基板的另一侧。本发明所提的晶片堆叠结构不但可提供晶片装置层的多孔性介电材料一定的应力支撑保护,更可隔绝该多孔性介电材料,使其免于湿气的侵入,而解决晶片堆叠结构可能因气密性不足而引发的可靠性问题。
搜索关键词: 晶片 堆叠 结构
【主权项】:
1、一种晶片堆叠结构,其特征在于,该晶片堆叠结构包含:一第一晶片,其具有一第一装置层与一第一基板,其中该第一装置层具有至少一芯片及至少一低介电材料层;一第二晶片,设置在该第一晶片之上,其具有一第二基板;以及一封闭的支撑结构,其设置于该至少一芯片上且设置在该至少一芯片的一切割道之内,其中该封闭的支撑结构从该第一装置层远离基板的一侧延伸至其靠近基板的一侧。
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