[发明专利]电阻式随机存取存储器结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200810149931.2 | 申请日： | 2008-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN101728480A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 谢君毅;吴昌荣;施能泰;刘国辰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/02;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电阻式随机存取存储器结构及其制作方法。在该制作方法中，首先，形成下电极，接着，在下电极上，形成电阻层，然后，在电阻层上，形成上电极，其中上电极选自下列群组：氧化铟锡以及氧化铟锌，最后，以紫外线照射上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电阻式随机存取存储器结构，包含：下电极；电阻层，位于该下电极上；以及上电极，位于该电阻层上，其中该上电极选自下列群组：氧化铟锡、氧化铟锌以及钯。
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