[发明专利]一种烧绿石型Nd2Mo2O7缓冲层的制备方法

摘要

本发明公开了一种烧绿石型Nd₂Mo₂O₇缓冲层的制备方法，该方法是将一定摩尔比的乙酰丙酮钕和乙酰丙酮钼固体加入丙酸和甲醇混合溶液中，溶解后配置成前驱液，再旋涂于YSZ单晶基片上，然后在空气气氛中将旋涂好的单晶基片置于烘箱中干燥，再在管式炉中，氩气气氛下从室温开始加热，最后以不低于2℃/分钟的冷却速率将旋涂好的单晶基片冷却至室温，制成Nd₂Mo₂O₇缓冲层。本发明制备出的Nd₂Mo₂O₇薄膜织构良好，采用该方法制备的Nd₂Mo₂O₇缓冲层具有表面粗糙度小和表面层晶粒取向良好的特点，该方法重复性好，由于采用非真空的化学溶液沉积技术，因此可以显著降低制备成本并且适合于批量生产。

主权项

1、一种烧绿石型Nd2Mo2O7缓冲层的制备方法，其特征在于制备过程为：(1)将乙酰丙酮钕与乙酰丙酮钼固体按照摩尔比1∶1的比例混合；(2)往步骤(1)的混合物中加入丙酸和甲醇混合溶液，丙酸和甲醇的摩尔比为2∶3，然后加热搅拌1小时制成淡黄色的总阳离子浓度为0.2-0.6摩尔/升的前驱液；(3)用离心旋涂机将步骤(2)中的前驱液旋涂于已用丙酮超声清洗过的YSZ单晶基片上，所述YSZ表示钇稳定的氧化锆；(4)将步骤(3)中旋涂好的YSZ单晶基片置于烘箱中，在空气气氛中干燥，然后将干燥后的YSZ单晶基片置于管式炉中，在氩气气氛下以7℃/分钟的升温速率从室温开始加热，在温度550℃条件下预分解，然后在900-1150℃的温度下恒温1-3小时，最后以不低于2℃/分钟的冷却速率将YSZ单晶基片冷却至室温，即制成Nd2Mo2O7缓冲层。