[发明专利]一种金属钼与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及制备方法

摘要

本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种金属钼与氧化铝复合陶瓷绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有掺钼金属陶瓷片。所述复合陶瓷绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)采用常规电子陶瓷工艺制备氧化铝陶瓷基体，(2)制备氧化铝基金属陶瓷片，按体积百分比将Al₂O₃瓷粉75～99.9％；金属Mo粉0.1～25％，经粉碎、造粒、成形后排胶，在1500－1700℃烧结得到掺钼金属陶瓷片，(3)将Mo－Al₂O₃金属陶瓷与Al₂O₃陶瓷基体分别打磨平整；使用环氧粘接Mo－Al₂O₃+Al₂O₃基体+Mo－Al₂O₃；(4)加热固化，得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。本发明公开的这种绝缘结构其电阻率和介电常数均有明显的变化，可以显著的改善真空沿面闪络性能。

主权项

1、一种金属钼与氧化铝复合陶瓷绝缘结构，包括氧化铝陶瓷基体，其特征在于，所述氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有金属陶瓷片，该金属陶瓷片由掺有体积百分比为0.1～25％钼粉的氧化铝基金属陶瓷制成。