[发明专利]钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810151059.5 | 申请日： | 2008-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101403093A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 范多旺;范多进;王成兵;苗树翻;马海林;王成龙 | 申请（专利权）人： | 兰州大成自动化工程有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;C23C14/02;C23C14/35;C23C14/54;C23C14/14 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张 真 |
| 地址： | 730070*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及真空镀膜技术领域，特别涉及一种钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法，其主要特点是包括如下步骤：A.预处理，在超声波清洗机中用清洗液和纯净水的混合液对磁体表面进行除油及脱膜剂清洗；B.离子清洁活化，将预处理后的钕铁硼磁体经温度80℃-100℃，时间5-10分钟烘干在真空环境下经辉光等离子体进行轰击活化，增加表面活化能；C.真空镀膜，将经离子清洗的钕铁硼磁体在真空室内进行真空镀膜处理，在表面制备金属镀层。本发明在钕铁硼表面沉积金属薄膜，其稳定性好、结合力和致密度高，在冷热交变环境下的防腐能力较强。在物理气相沉积施镀过程中镀层厚度受磁体工件边角的影响远低于电镀和化学镀，且制备过程不存在污染问题。 | ||
| 搜索关键词： | 钕铁硼 磁体 表面 真空 复合 镀膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种钕铁硼磁体表面真空复合镀膜的制备方法，其特征是包括如下步骤：A.预处理，在超声波清洗机中用清洗液和纯净水的混合液对磁体表面进行除油及脱膜剂清洗；B.离子清洁活化，将预处理后的钕铁硼磁体经温度80℃-100℃，时间5-10分钟烘干在真空环境下经辉光等离子体进行轰击活化，增加表面活化能；C.真空镀膜，将经离子清洗的钕铁硼磁体在真空室内进行真空镀膜处理，在表面制备金属镀层。
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