[发明专利]四氧化三钴纳米管及多孔纳米晶的溶剂热合成方法无效
| 申请号： | 200810151270.7 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101348283A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 宋立民;张淑娟;陈斌 | 申请（专利权）人： | 天津工业大学 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300160天津市河东区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明是涉及一种溶剂热制备四氧化三钴纳米管及多孔纳米晶的方法，属于无机纳米材料制备工艺技术领域。该发明是以环己烷为溶剂，将二价钴盐溶于环己烷，加入氨水作为络合剂和沉淀剂，控制钴离子浓度为0.01－1mol/L，氨水与环己烷的体积比为1∶3，得到前体溶液。然后将此前体装于密闭的衬有聚四氟乙烯的反应釜中，在220－260℃温度下晶化24－72小时，得到四氧化三钴纳米管或多孔纳米晶。该方法合成的四氧化三钴尺度分布均一，大小可控，成本低，设备简单，操作安全、容易，工艺重复性好，产品质量稳定，适合工业放大生产。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 纳米 多孔 溶剂 合成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种四氧化三钴纳米管及多孔纳米晶溶剂热合成方法，其特征在于包括如下步骤：a.反应前体溶液制备：将二价钴盐溶于环己烷，控制钴离子浓度为0.01-1mol/L，加入氨水作为络合剂和沉淀剂，氨水与环己烷的体积比为1∶3，得到前体溶液；b.溶剂热合成四氧化三钴纳米管及多孔纳米晶：将上述前体装于密闭的衬有聚四氟乙烯的反应釜中加热晶化，待晶化完毕后反应釜温度降至室温，将产物水洗至中性，然后在120℃真空干燥3小时得到四氧化三钴纳米管或多孔纳米晶。其中，晶化温度为220-260℃，晶化时间为24-72小时。
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