[发明专利]自适应互补金属氧化物半导体图像传感器读出电路系统无效
| 申请号： | 200810151272.6 | 申请日： | 2008-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN101355637A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 罗文哲;曹庆红;李斌桥;韩明;陈雷;陈巨;任晓慧;黄碧珍;万涛涛 | 申请（专利权）人： | 罗文哲;曹庆红 |
| 主分类号： | H04N3/15 | 分类号： | H04N3/15;H04N5/235 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 江镇华 |
| 地址： | 200000上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种自适应互补金属氧化物半导体图像传感器读出电路系统，结构为：可变增益放大器和比较器分别接收像素信号电压输入的电压，可变增益放大器的输出信号经模数转换器至输出端，比较器的输出信号分别至可变增益放大器及输出端。比较器可设置1个或1个以上，各比较器是并联连接。本发明在图像传感器像素曝光后的数据读出过程中，先使用比较器对像素曝光电压进行判断，根据不同的曝光电压区间改变可变增益放大器的放大倍数。曝光电压通过可变增益放大器调整，使进入模数转换器的模拟信号始终位于相同的参考电压之内，这样可以得到比通常结构精度更高的结果。此结构和人眼在不同光亮环境下的反应类似，可以实现和人眼感光类似的更高精度的CMOS图像传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 自适应 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 读出 电路 系统 | ||
【主权项】：
1.一种自适应互补金属氧化物半导体图像传感器读出电路系统，包括有：像素信号电压输入(1)和模数转换器(3)，其特征在于，还设置有可变增益放大器(4)和比较器(5)，其中，可变增益放大器(4)和比较器(5)分别接收像素信号电压输入(1)的电压，可变增益放大器(4)的输出信号经模数转换器(3)至输出端(Out)，比较器(5)的输出信号分别至可变增益放大器(4)及输出端(Out)。
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