[发明专利]高电化学容量氧化石墨烯及其低温制备方法和应用在审
| 申请号： | 200810151807.X | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101367516A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 杨全红;吕伟;孙辉 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 天津市杰盈专利代理有限公司 | 代理人： | 赵敬 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电化学容量氧化石墨烯及其低温制备方法和应用。所述的氧化石墨烯，该氧化石墨烯片层厚度为0.35～20nm，比表面积为200～800m2/g，电化学比容量达到50～220F/g。其制备方法将氧化石墨在高真空下以一定升温速率升温至150～600℃，维持恒温0.5～20h，得到氧化石墨烯。该材料用于超级电容器电极材料。本发明具有如下优点：制备过程简单，制备温度低，且易于操作，能量消耗低。 | ||
| 搜索关键词： | 电化学 容量 氧化 石墨 及其 低温 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高电化学容量氧化石墨烯，其特征在于，该氧化石墨烯片层厚度为0.35～20nm，比表面积为200～800m2/g，电化学比容量达到50～220F/g。
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