[发明专利]液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料及制备方法无效
| 申请号： | 200810153635.X | 申请日： | 2008-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101420010A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 王为;李菲晖 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L35/14 | 分类号： | H01L35/14;H01L35/34 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 王 丽 |
| 地址： | 300072天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料及制备方法。本发明制备的液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料包括：低温区使用的、中温区使用和高温区使用的各种温差电材料。采用电沉积的方法，选择合适的薄膜温差电材料组成元素的离子、增加溶液电导率的导电离子以及添加剂；采用控电流方式输出电能，或采用控电压方式输出电能；电源输出的电流或者电压波形是直流波形、交流波形、脉冲波形、锯齿波形、三角波形、梯形波形或矩形波形中的一种或者两种以上波形的叠加。本发明的薄膜温差电材料及制备方法非常适用于制备微型温差电池、微型温差电制冷或加热器以及温差电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 液相电 沉积 薄膜 温差 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种液相电沉积N型及P型薄膜温差电材料，其特征是液相电沉积薄膜温差电材料包括：1)低温区使用的Bi2Te3及其掺杂温差电材料、ZnSb及其掺杂温差电材料、Sb4Te5及其掺杂温差电材料；2)中温区使用的Pb1-XSnXTe及其掺杂温差电材料、PbTe及其掺杂温差电材料、SbTe及其掺杂温差电材料、Bi(SiSb2)及其掺杂温差电材料、Bi2(GeSe)3及其掺杂温差电材料、CoAs3及其掺杂温差电材料、CoSb3及其掺杂温差电材料、Sr8Ga16Ge30及其掺杂温差电材料、Ba8GaxGe46-x及其掺杂温差电材料、ZrNiSn.及其掺杂温差电材料、MNiSn及其掺杂温差电材料、CoSb及其掺杂温差电材料、CsBi4Te6及其掺杂温差电材料；.3)高温区使用的MnSi1.7及其掺杂温差电材料、FeSi2及其掺杂温差电材料、CoSi及其掺杂温差电材料和Ge1-XSiX及其掺杂温差电材料。
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