[发明专利]具有沟道形场环结构的功率半导体元件有效
| 申请号： | 200810154788.6 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101483195A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | B·柯尼希 | 申请（专利权）人： | 赛米控电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 赵 冰 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有第一掺杂的半导体基体的功率半导体元件和一种相应的制造方法。在第一掺杂的基体上，借助第二掺杂的带有第一掺杂断面的接触区形成pn结。同样设置带有各自的场环的第二掺杂断面的第二掺杂的场环结构。在这种情况下，接触区和场环结构设置在基体的第一表面分别对应的第一和第二部分面上。这两个部分面延伸到基体的体积内，其中场环结构的基体具有与各自场环对应的沟道形间隙，其表面基本上遵循对应的掺杂断面的轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 沟道 形场环 结构 功率 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1. 一种功率半导体元件，具有第一掺杂的半导体基体(2，4)，在该基体上形成并与第一掺杂的区域形成pn结的第二掺杂的带有第一掺杂断面(120)的接触区(12)，以及带有各自的场环的第二掺杂断面(140)的第二掺杂的场环结构(14)，其中接触区(12)和场环结构(14)设置在基体的第一表面(10)分别对应的第一部分面(10a)和第二部分面(10b)上并延伸到基体的体积内，以及其中场环结构(14)的基体(2，4)具有与各自场环对应的沟道形间隙(142)，其表面基本上遵循对应的掺杂断面(140)的轮廓。
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