[发明专利]碳化硅基片的抛光液无效
| 申请号： | 200810155745.X | 申请日： | 2008-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN101724344A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 周海 | 申请（专利权）人： | 周海 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224051 江苏省盐城*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及光电子领域使用的碳化硅基片加工中抛光液的配方。碳化硅基片抛光液由：颗粒直径为20纳米～50纳米溶胶型二氧化硅(SiO2)，去离子水，氢氧化钠(NaOH)，聚氧乙烯酰胺组成。它们的质量比是：二氧化硅∶去离子水∶氢氧化钠∶聚氧乙烯酰胺＝1∶2∶0.01∶0.06。使用本抛光液进行抛光，不仅能够有效消除碳化硅基片磨削过程中产生的加工损伤层，保证基片抛光面的粗糙度(RMS)＜0.3纳米，同时能够缩短碳化硅基片的抛光时间，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 抛光 | ||
【主权项】：
碳化硅基片的抛光液组成是：颗粒直径为20纳米～50纳米溶胶型二氧化硅(SiO2)，去离子水，氢氧化钠(NaOH)，聚氧乙烯酰胺。它们的质量比是：二氧化硅∶去离子水∶氢氧化钠∶聚氧乙烯酰胺＝1∶2∶0.01∶0.06。
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