[发明专利]一次焊接机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法有效
| 申请号： | 200810156038.2 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101355041A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 曹榆;戴小薇;韩平 | 申请（专利权）人： | 昆山晨伊半导体器件厂 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 | 代理人： | 董建林;许婉静 |
| 地址： | 215332江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种一次焊接机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法，包括以下步骤：1)通过一次焊接将一体化引线、焊片、硅片、另一焊片和底座依次组合在一起，直接制成整流二极管；2)通过湿法酸腐蚀，对裸露的PN结表面进行酸洗；3)使用聚酰亚胺材料对PN结表面进行钝化；4)封装。利用本发明方法制成的机动车用硅雪崩整流二极管最高等效工作结温高、高温性能好、散热快、可简单装配，极大地提高了产品可靠性和适应性。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 焊接 机动车 雪崩 整流二极管 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.一种一次焊接机动车用硅雪崩整流二极管的生产方法，其特征在于：包括以下步骤：1)通过一次焊接将一体化引线(5)、焊片(3)、硅片(2)、另一焊片(3)和底座(1)依次组合在一起，直接制成整流二极管；2)通过湿法酸腐蚀，对裸露的PN结表面进行酸洗；3)使用聚酰亚胺材料对PN结表面进行钝化；4)封装。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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