[发明专利]p型掺杂CuCrO2基稀磁半导体材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种p型掺杂CuCrO₂基稀磁半导体材料及其制备方法。制备了CuCrO₂基稀磁半导体多晶块体，其具有分子结构式CuCr_1-xTM_xO₂，其中TM为过渡金属元素Fe、Co、Ni、Mn，其浓度0≤x≤0.20。按铜、铬和过渡金属的摩尔比为1∶(0.80～1)∶(0～0.20)，称量乙酸铜、硝酸铬及过渡金属盐，将粉末加入到蒸馏水中并加入适量柠檬酸，在室温下进行搅拌至完全溶解，获得混合均匀的溶液；然后经过烘干、研磨、压片及热处理后制得CuCr_1-xTM_xO₂稀磁半导体块体材料。本发明采用溶胶-凝胶法具有能耗低，技术简单等优点。而且溶液内的各组分充分混合，均匀程度可达分子水平，因此可以制备多组分均匀掺杂物，并能够制备一些传统固相法难以得到的产物。实验结果具备可重复性。

主权项

1、p型掺杂CuCrO2基稀磁半导体材料，其特征在于分子结构式为CuCr1-xTMxO2，TM代表过渡金属Fe、Co、Ni、Mn，掺杂浓度0≤x≤0.20。