[发明专利]通过加热衬底生产的半导体器件的制造设备和制造方法无效
| 申请号： | 200810160808.0 | 申请日： | 2008-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN101388330A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 上野昌纪;上田登志雄;渡边容子 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/687;H01L21/20;H01L33/00;C30B25/12;C30B25/10;C23C16/458;C23C16/46 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的制造设备和制造方法，允许使衬底(1)的温度分布均匀。用于半导体器件的制造设备包括：夹持衬底(1)的基座(2)；被安排在基座(2)的背侧的加热器；位于衬底(1)和基座(2)之间的包括支撑部分(12)的支撑构件(11)；以及位于基座(2)和支撑构件(11)之间的间隔物(14)。间隔物(14)具有与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、在支撑构件(11)的相反面侧形成的开口(15)。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 加热 衬底 生产 半导体器件 制造 设备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于半导体器件的制造设备，包括：夹持衬底(1)的基座(2)；加热器构件(6)，相反于夹持所述衬底(1)的所述基座(2)的一侧，所述加热器构件(6)被安排在所述基座(2)的背侧，用于加热所述衬底(1)；支撑构件(11)，其位于所述衬底(1)和所述基座(2)之间，包括支撑所述衬底(1)的支撑部分(12)；以及间隔物(14)，其位于所述基座(2)和所述支撑构件(11)之间，并且具有与设置所述支撑部分(12)的地方对应的、在所述支撑构件(11)的相反面侧形成的开口(15)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
