[发明专利]半导体光元件的制造方法有效
| 申请号： | 200810160916.8 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101499625B | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 境野刚 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/223 | 分类号： | H01S5/223 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于得到一种能够确保良好特性和较高的可靠性的半导体光元件的制造方法。在p型InP覆盖层(12)(第一半导体层)上形成槽(14)。在槽(14)内形成含有Al元素的活性层(15)(第二半导体层)。在p型InP覆盖层(12)和活性层(15)上形成n型InP覆盖层(16)(第三半导体层)。在n型InP覆盖层(16)上，以覆盖活性层15的上方的方式形成绝缘膜(17)。将绝缘膜(17)作为掩模，不使活性层(15)露出地刻蚀p型InP覆盖层(12)和n型InP覆盖层(16)，形成条纹结构(18)。由p型InP埋入层(19)、n型InP埋入层(20)和p型InP埋入层(21)埋入条纹结构(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体光元件的制造方法，其特征在于，具有如下步骤：在第一半导体层上形成槽；在所述槽内形成含有Al元素的第二半导体层；在所述第一半导体层以及所述第二半导体层上形成第三半导体层；在所述第三半导体层上，以覆盖所述第二半导体层的上方的方式，形成宽度比所述第二半导体层的宽度宽的绝缘膜；将所述绝缘膜作为掩模，不使所述第二半导体层露出地刻蚀所述第一半导体层以及所述第三半导体层，形成条纹结构；由埋入层埋入所述条纹结构。
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