[发明专利]半导体装置

摘要

在高耐压半导体开关元件中，在开关动作所需的第1发射极区域(104)之外，形成与电流检出电路电连接、而且通过读出电阻123)与第1发射极区域(104)电连接的第2发射极区域(110)。在第2发射极区域(110)上，不形成发射极电极，而在与第2发射极区域(110)邻接的部分的基极区域(103)，形成发射极电极。在具有对高耐压半导体开关元件进行过电流保护功能的半导体装置中，加大流过读出电阻的电流和流过高耐压半导体开关元件的电流之比，从而减少过电流保护功能动作的电流值的离差。

主权项

1、一种半导体装置，具有：高耐压半导体开关元件，该高耐压半导体开关元件可以受外加给栅电极的栅电压的控制；和电流检出单元，该电流检出单元具有能够检出流入所述高耐压半导体开关元件的电流的一部分的检出电阻，所述高耐压半导体开关元件，具备：第2导电型的基极区域，该第2导电型的基极区域形成在第1导电型的半导体基板内；第1导电型的第1发射极区域，该第1导电型的第1发射极区域形成在所述基极区域内；第2导电型的集电极区域，该第2导电型的集电极区域形成在所述半导体基板内并与所述基极区域隔离；栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜至少形成在从所述第1发射极区域观察位于所述集电极区域一侧的部分的所述基极区域上；栅极电极，该栅极电极形成在所述栅极绝缘膜上；集电极电极，该集电极电极形成在所述半导体基板上，而且与所述集电极区域电连接；和发射极电极，该发射极电极形成在所述半导体基板上，而且与所述基极区域及所述第1发射极区域的双方电连接，在所述基极区域内，还形成有第2发射极区域，该第2发射极区域通过所述检出电阻与所述第1发射极区域电连接，而且与所述电流检出单元电连接；在所述第2发射极区域上不形成所述发射极电极，而在与所述第2发射极区域邻接的部分的所述基极区域上，形成所述发射极电极。