[发明专利]Ag系溅射靶及Ag系薄膜无效
| 申请号： | 200810161076.7 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101445913A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 松崎均 | 申请（专利权）人： | 株式会社钢臂功科研 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/14 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘 建 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可用于形成面内均匀性非常优良的Ag系薄膜的Ag系溅射靶及Ag系薄膜。Ag系薄膜的Ag系溅射靶，在通过下述步骤(1)～(3)测定Ag系溅射靶的溅射面的平均晶粒直径dave时，平均晶粒直径dave在10μm以下，步骤(1)在溅射面的面内任意选择多个部位，以40～2000倍的倍率拍摄所选择的各部位的显微镜照片；步骤(2)对各显微镜照片，以井字状或放射线状画4条以上的直线，调查直线上的晶界数量n，对每条直线基于式d＝L/n/m算出晶粒直径d，式中，L表示直线的长度，n表示直线上的晶界数量，m表示显微镜照片的倍率；步骤(3)将所有选择部位的晶粒直径d的平均值作为溅射面的平均晶粒直径dave。 | ||
| 搜索关键词： | ag 溅射 薄膜 | ||
【主权项】：
1. 一种Ag系溅射靶，其特征在于，在通过下述步骤1～3测定由纯Ag或Ag合金构成的Ag系溅射靶的溅射面的平均晶粒直径dave时，所述平均晶粒直径dave在10μm以下，步骤1：在溅射面的面内任意选择多个部位，以40～2000倍的倍率拍摄所选择的各部位的显微镜照片；步骤2：算出在所有显微镜照片上观察到的晶粒直径d，首先，对各显微镜照片，以井字状或放射线状画4条以上的直线，调查所述直线上的晶界数量n，接着，对每条直线根据下式(1)算出晶粒直径d，d＝L/n/m…………(1)式中，d表示晶粒直径，单位为μm，L表示直线的长度，单位为μm，n表示直线上的晶界数量，m表示显微镜照片的倍率；步骤3：将上述那样得到的所有选择部位的晶粒直径d的平均值作为溅射面的平均晶粒直径dave。
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