[发明专利]发光二极管芯片封装结构及其制作方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管芯片封装结构及其制作方法。本发明的发光二极管芯片封装结构使用半导体基板作为封装基板，因此可增加散热性，且本发明的发光二极管芯片封装结构利用平坦结构使发光二极管芯片与封装基板具有约略平整表面，因此可设置平面状的图案化导线层以实现发光二极管芯片间的串/并联。

主权项

1.一种制作发光二极管芯片封装结构的方法，其包含有：提供封装基板，并于该封装基板的上表面形成多个凹陷的固晶区；于该封装基板的该上表面形成下图案化导线层，其中该下图案化导线层包含多个第一下图案化导线层与多个第二下图案化导线层；提供多个发光二极管芯片，各该发光二极管芯片包含发光层、第一导电型式掺杂半导体层设于该发光层的下表面，以及第二导电型式掺杂半导体层设于该发光层的上表面；将各该发光二极管芯片分别固晶于各该固晶区内，并使各该发光二极管芯片的该第一导电型式掺杂半导体层分别与该下图案化导线层的各该第一下图案化导线层电性连接；于该封装基板、该下图案化导线层与所述发光二极管芯片上形成平坦结构，并于该平坦结构中形成多个接触洞，其中所述接触洞曝露出各该发光二极管芯片的部分该第二导电型式掺杂半导体层以及该下图案化导线层的各该第二下图案化导线层；以及于该平坦结构上形成上图案化导线层，并将该上图案化导线层填入所述接触洞，由此使该下图案化导线层的各该第二下图案化导线层通过该上图案化导线层与各该发光二极管芯片的该第二导电型式掺杂半导体层电性连接。