[发明专利]静电保护电路无效
申请号: | 200810161854.2 | 申请日: | 2008-10-09 |
公开(公告)号: | CN101533837A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 森日出树;葛西宪太郎 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/04;H02H9/00 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种静电保护电路包括第一杂质区域、第二杂质区域、第一电极、第三杂质区域、第四杂质区域、第二电极、第五杂质区域、第六杂质区域、第三电极、栅极绝缘膜和第四电极。 | ||
搜索关键词: | 静电 保护 电路 | ||
【主权项】:
1. 一种静电保护电路,包括:第一杂质区域,被配置为包含第一导电型的杂质;第二杂质区域,被配置为形成在所述第一杂质区域的表面上,并且包含浓度比所述第一杂质区域中的所述第一导电型的所述杂质的浓度高的所述第一导电型的杂质;第一电极,被配置为形成在所述第二杂质区域的表面上,并且电连接至信号线;第三杂质区域,被配置为形成在所述第一杂质区域的所述表面上,并且包含与所述第一导电型不同的第二导电型的杂质;第四杂质区域,被配置为形成在所述第三杂质区域的表面上,并且包含浓度比所述第三杂质区域中的所述第二导电型的所述杂质的浓度高的所述第二导电型的杂质;第二电极,被配置为形成在所述第四杂质区域的表面上,并且电连接至所述信号线;第五杂质区域,被配置为形成在所述第一杂质区域的表面区域中与所述第三杂质区域邻接的区域中,并且包含所述第二导电型的杂质;第六杂质区域,被配置为形成在所述第五杂质区域的表面上,并且包含所述第一导电型的杂质;第三电极,被配置为形成在所述第六杂质区域的表面上,并且电连接至参考电位线;栅极绝缘膜,被配置为至少形成在所述第一杂质区域的所述表面在所述第三杂质区域与所述第五杂质区域之间的部分上;以及第四电极,被配置为形成在所述栅极绝缘膜的表面上,并且当向所述信号线施加浪涌电压时,电连接至所述参考电位线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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