[发明专利]用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置无效
| 申请号： | 200810163362.7 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101451271A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 熊红兵;马远 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B29/64 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置，包括有中央套管的锥形导向器和支撑在锥形导向器顶面的上层结构，所述的上层结构包括与中央套管同轴设置的内套筒组，同轴设置在内套筒组外围的外套筒组和用于密封内套筒组及外套筒组顶部的顶板，内套筒组底沿带有若干个支脚，通过支脚支撑在锥形导向器的顶面，相邻支脚之间形成排料通道。本发明的装置主要是针对现有技术对上层结构进行改造，将起热屏作用的外套筒垂直放置，径向温度梯度较高，能形成有利于晶体生长的热场；内套筒和排料通道的设计可以起到减速和导向的作用，使得硅粒落入硅液中时能减少硅液溅起，解决了蘑菇状料团中断带状硅生长的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 边缘 限定 生长 生产 带状 多晶 装置 | ||
【主权项】：
1、一种用于边缘限定硅膜生长法生产带状多晶硅的装置，包括带中央套管(8)的锥形导向器(9)和支撑在锥形导向器(9)顶面的上层结构(11)，其特征在于：所述的上层结构(11)包括罩于中央套管(8)顶部开口的内套筒组，同轴设置在内套筒组外围的外套筒组和用于密封内套筒组及外套筒组顶部的顶板(1)，内套筒组底沿带有若干个支脚(15)，支脚(15)支撑在锥形导向器(9)的顶面，相邻支脚(15)之间形成排料通道(16)。
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