[发明专利]多晶碳头料的清洗方法无效
| 申请号： | 200810163783.X | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101481824A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 裘永恒 | 申请（专利权）人： | 嘉兴嘉晶电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B33/10;B08B3/08;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314500浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种多晶碳头料的清洗方法，主要包含以下步骤：将多晶碳头料放入硫酸、高锰酸钾、硝酸钠的混合溶液中浸泡，捞出多晶碳头料后用清水冲洗干净，将多晶碳头料放入硝酸、氢氟酸的混合溶液中清洗，捞出多晶碳头料用纯水冲洗干净，对多晶碳头料进行纯水超声处理，捞出多晶碳头料，进行烘干。本方法摒弃了传统的机械加工来去除多晶碳头料上的石墨杂质的方法，采用化学清洗的方法。由于使用了化学溶液对多晶碳头料进行的清洗，与传统的方法相比能的将多晶碳头料的上的石墨杂质去除，完全符合太阳能硅业的清洁要求，且对多晶碳头料本身的损耗很少，增加了原料的可利用率。且经过清洗后废酸及冲洗液经排放处理后不会对环境造成污染。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 碳头料 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种多晶碳头料的清洗方法，其特征是包括以下步骤：a)将多晶碳头料放入硫酸、高锰酸钾、硝酸钠的混合溶液中浸泡；b)捞出多晶碳头料后用清水冲洗干净；c)将多晶碳头料放入硝酸、氢氟酸的混合溶液中清洗；d)捞出多晶碳头料用纯水冲洗干净；e)对多晶碳头料进行纯水超声处理；f)捞出多晶碳头料，进行烘干。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于嘉兴嘉晶电子有限公司，未经嘉兴嘉晶电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810163783.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
