[发明专利]一种分立器件正面金属的生产方法有效
申请号: | 200810164214.7 | 申请日: | 2008-12-31 |
公开(公告)号: | CN101452833A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 钱进 | 申请(专利权)人: | 杭州立昂电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
代理公司: | 杭州浙科专利事务所 | 代理人: | 吴秉中 |
地址: | 310018浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种分立器件正面金属的生产方法,属于半导体分立器件制造的技术领域。将已经长好器件的硅片进行表面处理后,清洗、甩干,把硅片在溅射台中溅射钛钨合金和镍钒合金,将溅射好的硅片再进行表面处理,清洗、甩干,最后把甩干的硅片置于蒸发台中热蒸发银。上述一种分立器件正面金属的生产方法,在蒸发银之前,器件的正面已经有溅射上去的钛钨合金和镍钒合金的保护,有效地屏蔽了蒸发银产生的二次电子和X射线,避免了蒸发银对器件的损伤;把溅射有钛钨合金和镍钒合金的硅片在NH4F和HF的混合溶液中浸泡后在去离子水槽中溢流,然后再蒸发银,不仅满足承受拉力的要求,同时也增加了溅射的钛钨镍钒和蒸发的银层的粘附性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 分立 器件 正面 金属 生产 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种分立器件正面金属的生产方法,其特征在于包括如下工艺步骤:1)已经长好器件的硅片(1)进行表面处理后,清洗、甩干;2)经步骤1)的硅片(1)在溅射台中溅射钛钨合金(7)和镍钒合金(6),真空值控制在2.0×10-6Torr以下;3)将溅射好的硅片(1)再进行表面处理,清洗、甩干;4)经步骤3)的硅片(1)置于蒸发台中,采用热蒸发工艺,在镍钒合金(6)表面蒸发设置一层厚度为30KA的银(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州立昂电子有限公司,未经杭州立昂电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810164214.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造