[发明专利]形成半导体器件的布线层的方法无效
| 申请号： | 200810165662.9 | 申请日： | 2008-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101527279A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 郑武京;李宣姃;朴基澈 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成半导体器件的布线层的方法，其包括形成具有第一厚度的第一层间绝缘层和在该第一层间绝缘层中形成第一接触塞，该第一厚度对应于将要形成在支撑层上的层间绝缘层的厚度的一部分。该方法还包括在第一接触塞和第一层间绝缘层上形成具有第二厚度的第二层间绝缘层，其中第二厚度对应于层间绝缘层的厚度的其余部分，以及在第二层间绝缘层中形成连接到第一接触塞的第二接触塞，从而形成包括第一接触塞和第二接触塞的局部布线层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 布线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的布线层的方法，所述方法包括：形成具有第一厚度的第一层间绝缘层，所述第一厚度与将要在支撑层上形成的层间绝缘层的厚度的一部分相对应；在所述第一层间绝缘层中形成第一接触塞；在所述第一接触塞和所述第一层间绝缘层上形成具有第二厚度的第二层间绝缘层，从而形成所述层间绝缘层，其中所述第二厚度与所述层间绝缘层的厚度的其余部分相对应；在所述第二层间绝缘层中形成连接到所述第一接触塞的第二接触塞，从而形成包括所述第一接触塞和所述第二接触塞的局部布线层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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