[发明专利]注入设备的效能决定方法无效
| 申请号： | 200810165698.7 | 申请日： | 2008-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101661870A | 公开（公告）日： | 2010-03-03 |
| 发明（设计）人： | 许誉濒;张原铭;李伟恒;巫政达 | 申请（专利权）人： | 茂德科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的注入设备的效能决定方法，包含：形成杂质阻障层于基板上、形成标靶层于该杂质阻障层上、使用注入设备进行注入工艺以将杂质注入该标靶层、量测该标靶层的至少一电气特性、以及考量该电气特性以便决定该注入设备效能。在本发明的一实施例中，该杂质阻障层为氮化硅层，该标靶层为多晶硅层，该电气特性为该导电多晶硅层的片电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 注入 设备 效能 决定 方法 | ||
【主权项】：
1、一种注入设备的效能决定方法，包含下列步骤：形成杂质阻障层于基板上；形成标靶层于该杂质阻障层上；使用注入设备进行注入工艺以将杂质注入该标靶层；量测该标靶层的至少一电气特性；以及考量该电气特性以便决定该注入设备效能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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