[发明专利]制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法无效
| 申请号： | 200810165838.0 | 申请日： | 2008-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101434047A | 公开（公告）日： | 2009-05-20 |
| 发明（设计）人： | K·勒特格;W·艾格纳;M·田端 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;B24D11/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 夏 青 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法，所述方法包括以下步骤：抛光所述半导体晶片的至少一侧；以及对经抛光的半导体晶片的边缘进行抛光；其中，在抛光剂的参与下利用含有固定磨料的抛光布对所述边缘进行抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 具有 抛光 边缘 半导体 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于制造具有抛光的边缘的半导体晶片的方法，包括：抛光所述半导体晶片的至少一侧；以及对经抛光的半导体晶片的边缘进行抛光；其中，在抛光剂的参与下利用含有固定磨料的抛光布对所述边缘进行抛光。
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