[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200810166357.1 | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101685832A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 陈柏安 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，包括：一衬底；一漏极区，位于所述衬底中，其中所述漏极区为一封闭环状以在所述衬底中定义一封闭区域；一栅极结构，位于所述封闭区域上，其中所述栅极结构具有一第一侧边及相对于所述第一侧边的一第二侧边；一第一源极区，位于邻近所述栅极结构第一侧边的封闭区域中；以及一隔离结构，位于所述第一源极区及所述漏极区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，该装置包括：一衬底；一漏极区，位于所述衬底中，其中所述漏极区为一封闭环状以在所述衬底中定义一封闭区域；一栅极结构，位于所述封闭区域上，其中所述栅极结构具有一第一侧边及相对于所述第一侧边的一第二侧边；一第一源极区，位于邻近所述栅极结构第一侧边的封闭区域中；以及一隔离结构，位于所述第一源极区及所述漏极区之间。
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