[发明专利]元件晶片和元件晶片的制造方法有效
| 申请号： | 200810166473.3 | 申请日： | 2008-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN101539586A | 公开（公告）日： | 2009-09-23 |
| 发明（设计）人： | 奥村美香;堀川牧夫;佐藤公敏;山口靖雄 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G01P15/00 | 分类号： | G01P15/00;B81C1/00;B81B7/00;H01L21/00;H01L21/822;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及元件晶片和元件晶片的制造方法。本发明的目的在于提供一种元件晶片的制造方法，该方法能够抑制裂隙对在半导体晶片上层叠的膜的用于形成元件的部位的损伤。在半导体晶片(21)上的第一绝缘膜(22)和第二绝缘膜(27)上设置凹部(10)。第一绝缘膜(22)和第二绝缘膜(27)被加工，在半导体晶片(21)上的用于形成加速度传感器(20)的主要区域(6)上设置布线(26)。进一步在布线(26)上层叠牺牲膜(24)和导电性膜(25)，这些膜被加工，在主要区域(6)设置多个薄膜结构体(28)。凹部(10)包围主要区域(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种元件晶片的制造方法，其特征在于，具有：准备半导体晶片的工序；在所述半导体晶片上层叠多个膜，通过与该多个膜的层叠并行地对该多个膜进行加工，从而在所述半导体晶片上的中央区域形成元件的工序；以及在所述多个膜的至少一个上，设置对形成所述半导体晶片上的所述元件的区域进行包围的凹部，或/和设置在该区域的周围排列并包围该区域的多个开口的工序。
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