[发明专利]液晶显示装置及其制造方法和驱动方法有效
申请号: | 200810166498.3 | 申请日: | 1998-12-30 |
公开(公告)号: | CN101387802A | 公开(公告)日: | 2009-03-18 |
发明(设计)人: | 郑柄厚;黄长元;裵秉成 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/84;H01L27/12 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 邵亚丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种液晶显示装置及其制造方法和驱动方法,液晶显示装置包括:一绝缘衬底;一硅层,形成于衬底上;一栅极绝缘膜,覆盖硅层;一栅电极,形成于栅极绝缘膜上;和一存储电极,形成于栅极绝缘膜上,其中硅层包括一掺杂的源极区、一掺杂的漏极区、位于源极区和漏极区之间的未掺杂的沟道区、邻接沟道区且与其隔开的未掺杂的存储区以及邻接存储区而接至漏极区的第一掺杂区,其中存储电极位于存储电极的对面。 | ||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 及其 制造 方法 驱动 | ||
【主权项】:
1. 一种液晶显示装置,包括:一绝缘衬底;一硅层,形成于衬底上,并且包括一掺杂的源极区、一掺杂的漏极区、位于源极区和漏极区之间的未掺杂的沟道区;一栅极绝缘膜,覆盖硅层;一栅电极,形成于栅极绝缘膜上并且位于沟道区对面;第一存储电极,形成于栅极绝缘膜上;一存储电容器的第一层间绝缘膜,覆盖第一存储电极;第二存储电极,形成于第一层间绝缘膜上;和一像素电极,它电连接到漏极区上,并且与第二存储电极相接触。
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