[发明专利]半导体存储器件及其驱动方法有效
| 申请号： | 200810167181.1 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101399079A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 尹锡彻 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4078 | 分类号： | G11C11/4078 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了半导体存储器件及其驱动方法。半导体存储器件包括：第一锁存器，响应于模式寄存器设置(MRS)命令脉冲来锁存由多位构成的MRS代码；代码控制器，响应于来自所述第一锁存器的输出信号中的预设位的代码值来生成控制信号；第二锁存器，响应于所述控制信号而选择性地锁存来自所述第一锁存器的输出信号；以及模式解码器，对来自所述第二锁存器的输出信号进行解码，以输出工作模式。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体存储器件，包括：第一锁存器，被配置成响应于模式寄存器设置MRS命令脉冲来锁存由多位构成的模式寄存器设置MRS代码；代码控制器，被配置成响应于来自所述第一锁存器的输出信号中的预设位的代码值来生成控制信号；第二锁存器，被配置成响应于所述控制信号而选择性地锁存来自所述第一锁存器的输出信号；以及模式解码器，被配置成对来自所述第二锁存器的输出信号进行解码，以输出工作模式。
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