[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法无效
| 申请号： | 200810167435.X | 申请日： | 2008-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN101399083A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李熙烈 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨林森;康建峰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及非易失性存储装置的操作方法。在本发明的一方面，所述方法包括：对全部存储单元执行第一编程操作；测量参考存储单元的第一编程速度；将第一编程速度存储在编程速度存储单元中；重复执行编程/擦除操作直到编程/擦除操作的数量对应于特定参考值；当编程/擦除操作的数量对应于特定参考值时，测量参考存储单元的第二编程速度；计算第一编程速度和第二编程速度之间的差；根据所计算的编程速度差重置编程起始电压；以及基于重置的编程起始电压执行编程/擦除操作。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性存储装置，包括：编程速度检测单元，用于测量全部存储单元的参考存储单元的编程速度；编程速度存储单元，用于存储编程速度；以及编程电压控制器，用于通过比较存储在所述编程速度存储单元中的第一编程速度和通过所述编程速度检测单元根据编程/擦除操作的数量检测到的第二编程速度，来确定是否改变编程电压。
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