[发明专利]基材处理设备以及使用该基材处理设备处理基材的方法有效
申请号: | 200810167638.9 | 申请日: | 2008-10-21 |
公开(公告)号: | CN101431006A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 金性洙 | 申请(专利权)人: | 细美事有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;B08B3/10 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 梁兴龙;陈桂香 |
地址: | 韩国忠*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种基材处理设备,包括用于喷射处理液以干燥基材的喷射嘴。该喷射嘴向该基材喷出该处理液,并通过控制处理气的气流向从该喷射嘴喷出的处理液喷射该处理气。这样,由于该基材处理设备能使该处理液微粒的尺寸减到最小,因此可以提高产品的清洁效率和产率。 | ||
搜索关键词: | 基材 处理 设备 以及 使用 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种基材处理设备,其包括:其上固定地放置基材的支撑件;以及设置在所述支撑件上方的处理液供应部,用于通过向置于所述支撑件上的所述基材喷射呈微粒状的处理液来干燥所述基材,其中所述处理液供应部包括:用于接收所述处理液的第一供应喷嘴;用于接收处理气的第二供应喷嘴;和喷射嘴,用于通过控制所述处理气的气流同时喷出所述处理气和所述处理液而使所述处理液在所述处理气的作用下分解成微粒,所述喷射嘴包括从所述第一供应喷嘴注入所述处理液的化学品溶液流道和从所述第二供应喷嘴注入所述处理气并包围所述化学品溶液流道的气体流道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于细美事有限公司,未经细美事有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810167638.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基板处理装置和涂敷装置以及涂敷方法
- 下一篇:光源装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造