[发明专利]光掩膜及光掩膜的制造方法、以及图案转印方法无效
| 申请号： | 200810168133.4 | 申请日： | 2008-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101398612A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 佐野道明 | 申请（专利权）人： | HOYA株式会社 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/14;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种光掩膜(例如灰度掩膜)，其在透明基板(24)上具有用于在被转印体上形成所希望的转印图案的掩膜图案，具有：将掩膜图案(10a、10b、10c)间连接的、不会被转印到转印体的细线状的导电性图案(11a、11b、12a、12b)。该细线状的导电性图案，由半透光膜或者透光膜所形成。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜 制造 方法 以及 图案 | ||
【主权项】：
1. 一种光掩膜，在透明基板上具有用于在被转印体上形成所希望的转印图案的掩膜图案，其中，具有导电性图案，其将电孤立的掩膜图案间相互连接，具有给定线宽，并且由对暴光光的透过率为给定值以下的透光膜或者半透光膜构成。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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