[发明专利]蚀刻超薄膜的方法及蚀刻液有效
| 申请号： | 200810168351.8 | 申请日： | 2008-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN101604615A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 刘家助;陈桂顺;张尚文;叶志扬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;H01L21/311;H01L21/3213;C09K13/00;C03C15/00;C23F1/02;C23F1/14;C23F1/16;C23F1/32 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种蚀刻超薄膜的方法，其步骤为提供衬底，其上有超薄膜；形成光敏层在超薄膜上；图形化光敏层；依照光敏层的图形蚀刻超薄膜；以及移除图形化的光敏层。蚀刻工艺中利用具有抗扩散性质的蚀刻液，以防止蚀刻液中的蚀刻剂扩散至光敏层下面的区域而蚀刻光敏层下面的部分超薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种超薄膜的蚀刻方法，其特征在于，包含：提供一衬底，其上具有一超薄膜；形成一光敏层在该超薄膜之上；图形化该光敏层；依照该光敏层的图形蚀刻该超薄膜，以图形化该超薄膜，其中蚀刻该超薄膜的方法包含利用具有抗扩散性质的一蚀刻液，以防止该蚀刻液中的蚀刻剂扩散至位于该光敏层下的超薄膜；以及移除该光敏层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810168351.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：激光辐射方法和使用其方法制造半导体装置的方法
- 下一篇：自动交易装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
