[发明专利]使用加热源组合的脉冲式处理半导体加热方法

摘要

用于加热诸如半导体基片的对象的脉冲式处理方法和系统的特色在于用于以下的过程控制：对单个基片的多脉冲处理或对具有不同物理特性的不同基片的单脉冲或多脉冲处理。在背景加热模式期间，热以可控制的方式被施加给对象(36)，由此选择性地加热对象(36)以在背景加热期间至少通常地产生整个对象上的温升。对象(36)的第一表面是在脉冲式加热模式下通过使其经历能量的至少第一脉冲来加热的。背景加热被以与第一脉冲的定时关系来控制。对第一能量脉冲的对象的第一温度响应可被感测并且被用于建立用于至少第二能量脉冲的第二组脉冲参数以至少部分地产生目标条件。

主权项

1. 一种用于处理对象的方法，所述对象具有包括第一和第二表面的相反主表面，所述方法包括以下步骤：使用加热装置在背景加热模式期间以可控制的方式将热施加给对象，由此选择性地加热对象以至少通常地在整个对象上产生第一温度；通过使第一表面经历能量的至少第一脉冲以将对象的第一表面加热至比第一温度大的第二温度在脉冲式加热模式下使用加热装置来加热对象的第一表面；在施加所述第一脉冲之后的冷却间隔期间允许所述第一表面冷却，由此允许对象的第一表面降至第二温度以下并且至少在有限的程度上热均衡；以及在所述冷却间隔之后，将能量的第二脉冲施加给对象的第一表面以再热第一表面。