[发明专利]从批式热处理装置的石英制构件中除去金属杂质的方法有效
申请号: | 200810168649.9 | 申请日: | 2008-08-08 |
公开(公告)号: | CN101372739A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 渡边将久;石井胜利;柴田哲弥 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/20;H01L21/205 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种从批式热处理装置的石英制构件中除去金属杂质的方法,其包括:在没有收纳作为产品的被处理基板的处理容器内收纳用于使金属杂质附着的多个伪基板的工序;接着,通过向处理容器内供给含有氯的气体和水蒸气,并将处理容器的石英制内表面加热至处理温度,对所述石英制部分实施烘焙处理,使金属杂质从石英制内表面释放并附着在所述伪基板上的工序;和接着,将附着有金属杂质的伪基板从反应容器中搬出的工序。 | ||
搜索关键词: | 热处理 装置 石英 构件 除去 金属 杂质 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于在批式热处理装置中从石英制构件中除去金属杂质的方法,其特征在于:所述装置包括:在垂直方向上有间隔地收纳多个被处理基板并形成热处理气氛的处理容器,所述处理容器具有露出在所述热处理气氛中的石英制内表面;对所述处理容器内进行加热的加热器;对所述处理容器内进行排气的排气系统;和将处理气体供向所述处理容器内的处理气体供给系统,所述方法包括:在没有收纳作为产品的被处理基板的所述处理容器内收纳用于使所述金属杂质附着的多个伪基板的工序;接着,通过向所述处理容器内供给含有氯的气体和水蒸气,并将所述处理容器的所述石英制内表面加热至处理温度,对所述石英制内表面实施烘焙处理,使所述金属杂质从所述石英制内表面释放并附着在所述伪基板上的工序;和接着,将附着有所述金属杂质的所述伪基板从所述反应容器内搬出的工序。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的