[发明专利]半导体激光器保护电路、光拾取装置、及信息记录重放装置有效

专利信息
申请号: 200810169100.1 申请日: 2008-10-27
公开(公告)号: CN101420102A 公开(公告)日: 2009-04-29
发明(设计)人: 铃木弘文 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01S5/00 分类号: H01S5/00;G11B7/12;H02H7/20
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 谢丽娜;关兆辉
地址: 日本大阪*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种半导体激光器保护电路、光拾取装置、及信息记录重放装置。半导体激光器(10)的阴极接地,阳极与晶体管(11)的集电极连接。晶体管(11)的发射极接地,基极经由第1电阻器(13)与第1外部端子连接。数字晶体管(12)的集电极与晶体管(11)的基极连接,发射极接地,基极经由电阻与第2外部端子(15)连接。在晶体管(11)的基极施加预先确定的第1电压以上的电压时,晶体管(11)变为导通状态,半导体激光器(10)经由晶体管(11)接地,保护其不受静电、泄漏电流干扰。
搜索关键词: 半导体激光器 保护 电路 拾取 装置 信息 记录 重放
【主权项】:
1. 一种半导体激光器保护电路,用于保护半导体激光器,该半导体激光器具有二个端子,其中一个端子接地,所述半导体激光器保护电路的特征在于,包括与半导体激光器的另一个端子连接的晶体管,该晶体管在基极被施加预先确定的电压以上的电压时变为导通状态,经由该晶体管使半导体激光器的上述另一个端子接地,进一步,在基极被施加比预先确定的电压小的电压时变为绝缘状态,使半导体激光器的上述另一个端子断开。
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