[发明专利]半导体激光器保护电路、光拾取装置、及信息记录重放装置有效
申请号: | 200810169100.1 | 申请日: | 2008-10-27 |
公开(公告)号: | CN101420102A | 公开(公告)日: | 2009-04-29 |
发明(设计)人: | 铃木弘文 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01S5/00 | 分类号: | H01S5/00;G11B7/12;H02H7/20 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 谢丽娜;关兆辉 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种半导体激光器保护电路、光拾取装置、及信息记录重放装置。半导体激光器(10)的阴极接地,阳极与晶体管(11)的集电极连接。晶体管(11)的发射极接地,基极经由第1电阻器(13)与第1外部端子连接。数字晶体管(12)的集电极与晶体管(11)的基极连接,发射极接地,基极经由电阻与第2外部端子(15)连接。在晶体管(11)的基极施加预先确定的第1电压以上的电压时,晶体管(11)变为导通状态,半导体激光器(10)经由晶体管(11)接地,保护其不受静电、泄漏电流干扰。 | ||
搜索关键词: | 半导体激光器 保护 电路 拾取 装置 信息 记录 重放 | ||
【主权项】:
1. 一种半导体激光器保护电路,用于保护半导体激光器,该半导体激光器具有二个端子,其中一个端子接地,所述半导体激光器保护电路的特征在于,包括与半导体激光器的另一个端子连接的晶体管,该晶体管在基极被施加预先确定的电压以上的电压时变为导通状态,经由该晶体管使半导体激光器的上述另一个端子接地,进一步,在基极被施加比预先确定的电压小的电压时变为绝缘状态,使半导体激光器的上述另一个端子断开。
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