[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810169138.9 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101442064A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 藤本博昭;富田佳宏 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L33/00;H01L23/48;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/78;H01S5/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张 鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明在半导体元件(6)的电极部(3)上形成突起部(4)，是与该突起部(4)抵接的结构，用粘接剂(8)将光学构件(7)固定于半导体元件(6)上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体器件，其特征在于，具有：在1主面形成有连接突起部的多个电极部的半导体元件；以及对所述半导体元件利用透明粘接构件进行粘接的光学构件、使其覆盖所述突起部和所述电极部，所述光学构件与所述突起部连接，所述透明粘接构件的相对于应力的位移量相比所述突起部要大，而且，所述多个电极部通过形成于所述半导体元件的导通用贯通孔，与形成于所述半导体元件的另一面的外部电极电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
