[发明专利]半导体发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200810169283.7 | 申请日： | 2008-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101409322A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 高尾将和;千田和彦 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以控制电流、电流密度能够最佳化、且可以高亮度化的半导体发光元件及其制造方法。该半导体发光元件的特征在于，由半导体基板构造和发光二极管构造构成，其中，半导体基板构造具有：半导体基板(10)、在半导体基板(10)的第1表面上配置的第1金属层(21)、以及在半导体基板的第2表面上配置的第2金属层(22)，发光二极管构造配置在半导体基板构造上，且具有：第3金属层(20)、在第3金属层(20)上配置且由透明绝缘膜(12)和电流控制电极(18)构成的电流控制层(12、18)、以及在电流控制层(12、18)上配置的外延生长层(14)，并且，使用第1金属层(21)和第3金属层(20)，来粘贴半导体基板构造和发光二极管构造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，由半导体基板构造和发光二极管构造构成，上述半导体基板构造具有：半导体基板；在上述半导体基板的第1表面上配置的第1金属层；以及在上述半导体基板的第2表面上配置的第2金属层，上述发光二极管构造配置在上述半导体基板构造上，具有：第3金属层；配置在上述第3金属层上且由透明绝缘膜和电流控制电极构成的电流控制层；在上述电流控制层上配置的外延生长层；以及在上述外延生长层上配置的表面电极，使用上述第1金属层和上述第3金属层，来粘贴上述半导体基板构造和上述发光二极管构造。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司，未经罗姆股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810169283.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
