[发明专利]形成双镶嵌结构的方法有效
| 申请号： | 200810169440.4 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101728313A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 谢永刚 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成双镶嵌结构的方法。首先提供基材，并依序安排有蚀刻停止层与层间介电层位于基材上。此层间介电层具有厚度A。其次，图案化层间介电层以形成第一开口。继续，在层间介电层上形成光致抗蚀剂层。此光致抗蚀剂层具有厚度B。然后，通过光源而图案化此光致抗蚀剂层。接着，通过图案化光致抗蚀剂层而图案化此层间介电层，以建立位于第一开口上方的第二开口并形成双镶嵌结构，其中该光源具有周期参数C，而使得(A+B)/C≈X/2，X为奇数。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 镶嵌 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种形成双镶嵌结构的方法，包含：提供基材，其上依序具有蚀刻停止层与层间介电层位于该基材上，且该层间介电层具有厚度A；图案化该层间介电层以形成第一开口；于该层间介电层上形成光致抗蚀剂层，且该光致抗蚀剂层具有厚度B；通过光源图案化该光致抗蚀剂层；以及通过该图案化光致抗蚀剂层图案化该层间介电层，以建立位于该第一开口上方的第二开口而形成该双镶嵌结构，其中该光源具有周期参数C，且(A+B)/C≈X/2，X为奇数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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