[发明专利]铁磁隧道结元件、磁记录装置以及磁存储器装置无效
| 申请号： | 200810169642.9 | 申请日： | 2008-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101414657A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 佐藤雅重;梅原慎二郎;指宿隆弘 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01F10/32;G11B5/39 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 辉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供铁磁隧道结元件、磁记录装置以及磁存储器装置。铁磁隧道结元件为电阻随施加的磁场而变化的磁阻效应元件。该铁磁隧道结元件包括：钉扎层，其中保持至少部分磁化方向；以及形成在该钉扎层上的绝缘层，该绝缘层创建电子能够通过隧道效应流过的能量势垒。在该绝缘层上形成有由包含硼原子的第一铁磁材料制成的第一自由层。在该第一自由层中，磁化方向在外部磁场的影响下转换。在该第一自由层上形成有由包含硼原子的第二铁磁材料制成的第二自由层。该第二自由层的磁化方向在该外部磁场的影响下转换，且与该第一自由层交换并耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 元件 记录 装置 以及 磁存储器 | ||
【主权项】：
1、一种铁磁隧道结元件，其包括：钉扎层，其中保持了至少一部分磁化方向；形成在该钉扎层上的绝缘层，该绝缘层创建电子能够通过隧道效应流过的能量势垒；形成在该绝缘层上且由包含硼原子的第一铁磁材料制成的第一自由层，其中磁化方向在外部磁场的影响下转换；以及形成在该第一自由层上且由包含硼原子的第二铁磁材料制成的第二自由层，其中该磁化方向在该外部磁场的影响下转换，该第二自由层与该第一自由层交换并耦合。
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